品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN019-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:72.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN019-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:72.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN019-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:72.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN019-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:72.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y19-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:169W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y19-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:169W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y19-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:169W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y19-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:169W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y19-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:169W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN019-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:72.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5085pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: