采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：326nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11100pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2.1V@1.54mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1280pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@10.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9540STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：326nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11100pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：326nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11100pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9510STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€43W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@2.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD15P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：128W
阈值电压：2V@1.54mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@11.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5540pF@15V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P10-43L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ211ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3800pF@25V
连续漏极电流：33.6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：326nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11100pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70101EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7000pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：10.1mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P10-43L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@8.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD04P10PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：2V@380µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
