采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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输入电容：3200pF@50V
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
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类型：P沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
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功率：3W€125W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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栅极电荷：55nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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栅极电荷：55nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
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连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD11DP10NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：4V@1.7mA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@50V
连续漏极电流：3.4A€22A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS005N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3V@192µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@50V
连续漏极电流：16A€105A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@34A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
