采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：3100pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16A€104A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6482
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€63W
类型：N沟道
连续漏极电流：5.5A€28A
导通电阻：37mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：10mΩ@25A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.4A€90A
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：3100pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16A€104A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：10mΩ@25A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.4A€90A
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4482
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
连续漏极电流：6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.4A€22A
功率：2.5W€78W
输入电容：2680pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6482
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2000pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€63W
类型：N沟道
连续漏极电流：5.5A€28A
导通电阻：37mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.4A€22A
功率：2.5W€78W
输入电容：2680pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：7.4A€22A
功率：2.5W€78W
输入电容：2680pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
导通电阻：10mΩ@25A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：11.4A€90A
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
输入电容：2900pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：163717，"23+"：30000，"MI+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.2W€125W
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：14.5A€60A
输入电容：3135pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2680pF@50V
连续漏极电流：7.4A€22A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：92500，"17+"：12}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6B05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€138W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2699，"22+"：2692，"MI+"：2941}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3135pF@50V
连续漏极电流：14.5A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@14.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
