品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB260N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
功率:395W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
阈值电压:4.3V@15.5mA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@18V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
ECCN:EAR99
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
连续漏极电流:106A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
导通电阻:110mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:240W
漏源电压:650V
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:5V@740µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:2635pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:81nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
输入电容:3410pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3745pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:260W
导通电阻:64mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
输入电容:2930pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG025N065SC1
功率:395W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3480pF@325V
阈值电压:4.3V@15.5mA
类型:N沟道
栅极电荷:164nC@18V
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
ECCN:EAR99
导通电阻:28.5mΩ@45A,18V
连续漏极电流:106A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTBG015N065SC1
阈值电压:4.3V@25mA
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:145A
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
栅极电荷:283nC@18V
导通电阻:18mΩ@75A,18V
功率:500W
输入电容:4689pF@325V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N65S3H
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
输入电容:916pF@400V
漏源电压:650V
栅极电荷:17.5nC@10V
阈值电压:4V@700µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7852,"MI+":1585}
规格型号(MPN):NTBL050N65S3H
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@4.8mA
类型:1个N沟道
功率:305W
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4.88nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:49A
导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB260N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:260mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB070N65S3
输入电容:3090pF@400V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:44A
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
导通电阻:70mΩ@22A,10V
功率:312W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD360N65S3R0
功率:83W
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:4.5V@1mA
输入电容:730pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT180N65S3
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
功率:139W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
导通电阻:180mΩ@8.5A,10V
类型:N沟道
输入电容:1350pF@400V
阈值电压:4.5V@1.8mA
漏源电压:650V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
导通电阻:110mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:240W
漏源电压:650V
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:5V@740µA
连续漏极电流:30A
输入电容:2635pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N65S3H
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:360mΩ@5A,10V
类型:N沟道
输入电容:916pF@400V
漏源电压:650V
栅极电荷:17.5nC@10V
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB095N65S3HF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@18A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@860µA
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
功率:272W
漏源电压:650V
连续漏极电流:36A
输入电容:2930pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB110N65S3HF
导通电阻:110mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:240W
漏源电压:650V
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:5V@740µA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:2635pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF
导通电阻:110mΩ@15A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:240W
漏源电压:650V
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:5V@740µA
连续漏极电流:30A
输入电容:2635pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT099N65S3
导通电阻:99mΩ@15A,10V
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4.5V@3mA
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2270pF@400V
栅极电荷:56nC@10V
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":12000}
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7852,"MI+":1585}
规格型号(MPN):NTBL050N65S3H
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4V@4.8mA
类型:1个N沟道
功率:305W
栅极电荷:98nC@10V
输入电容:4.88nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:49A
导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
功率:90W
漏源电压:650V
输入电容:1010pF@400V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@1.2mA
导通电阻:250mΩ@6A,10V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: