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    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG025N065SC1 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG025N065SC1 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTBG025N065SC1

    功率:395W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3480pF@325V

    阈值电压:4.3V@15.5mA

    类型:N沟道

    栅极电荷:164nC@18V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:650V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:28.5mΩ@45A,18V

    连续漏极电流:106A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    功率:313W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:81nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    输入电容:3410pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    功率:313W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:81nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    输入电容:3410pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT110N65S3HF 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT110N65S3HF 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:240W

    漏源电压:650V

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:5V@740µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:2635pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    功率:313W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:81nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    输入电容:3410pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT064N65S3H

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3745pF@400V

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    功率:260W

    导通电阻:64mΩ@20A,10V

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:82nC@10V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订164个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订164个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB095N65S3HF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@860µA

    栅极电荷:66nC@10V

    类型:N沟道

    功率:272W

    漏源电压:650V

    连续漏极电流:36A

    输入电容:2930pF@400V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG025N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG025N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTBG025N065SC1

    功率:395W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3480pF@325V

    阈值电压:4.3V@15.5mA

    类型:N沟道

    栅极电荷:164nC@18V

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:650V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:28.5mΩ@45A,18V

    连续漏极电流:106A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBG015N065SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTBG015N065SC1

    阈值电压:4.3V@25mA

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    连续漏极电流:145A

    工作温度:-55℃~175℃

    漏源电压:650V

    栅极电荷:283nC@18V

    导通电阻:18mΩ@75A,18V

    功率:500W

    输入电容:4689pF@325V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N65S3H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N65S3H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD360N65S3H

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:916pF@400V

    漏源电压:650V

    栅极电荷:17.5nC@10V

    阈值电压:4V@700µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":7852,"MI+":1585}

    规格型号(MPN):NTBL050N65S3H

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:4V@4.8mA

    类型:1个N沟道

    功率:305W

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:4.88nF@400V

    漏源电压:650V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:49A

    导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB260N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB260N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:260mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    输入电容:3090pF@400V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:44A

    漏源电压:650V

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    栅极电荷:78nC@10V

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    功率:312W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    功率:83W

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    阈值电压:4.5V@1mA

    输入电容:730pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT180N65S3 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT180N65S3 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT180N65S3

    连续漏极电流:17A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:139W

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:33nC@10V

    导通电阻:180mΩ@8.5A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:1350pF@400V

    阈值电压:4.5V@1.8mA

    漏源电压:650V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB110N65S3HF

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:240W

    漏源电压:650V

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:5V@740µA

    连续漏极电流:30A

    输入电容:2635pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N65S3H 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD360N65S3H 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD360N65S3H

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    类型:N沟道

    输入电容:916pF@400V

    漏源电压:650V

    栅极电荷:17.5nC@10V

    阈值电压:4V@700µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB095N65S3HF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB095N65S3HF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:95mΩ@18A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@860µA

    栅极电荷:66nC@10V

    类型:N沟道

    功率:272W

    漏源电压:650V

    连续漏极电流:36A

    输入电容:2930pF@400V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB110N65S3HF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):NTB110N65S3HF

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:240W

    漏源电压:650V

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:5V@740µA

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:2635pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT110N65S3HF 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT110N65S3HF 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT110N65S3HF

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:240W

    漏源电压:650V

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:5V@740µA

    连续漏极电流:30A

    输入电容:2635pF@400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT099N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT099N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT099N65S3

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    功率:227W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:4.5V@3mA

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    输入电容:2270pF@400V

    栅极电荷:56nC@10V

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":12000}

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL050N65S3H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":7852,"MI+":1585}

    规格型号(MPN):NTBL050N65S3H

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:4V@4.8mA

    类型:1个N沟道

    功率:305W

    栅极电荷:98nC@10V

    输入电容:4.88nF@400V

    漏源电压:650V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:49A

    导通电阻:42.5mΩ@10V,24.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCMT250N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCMT250N65S3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    功率:90W

    漏源电压:650V

    输入电容:1010pF@400V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:4.5V@1.2mA

    导通电阻:250mΩ@6A,10V

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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