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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：13W
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类型：2个N通道（半桥）
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
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类型：2个N通道（半桥）
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4408}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
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功率：71W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@5V
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类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
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功率：13W
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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功率：13W
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包装方式：卷带（TR）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
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功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：13W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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类型：2个N通道（半桥）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
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功率：71W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：13W
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：{"06+"：4408}
规格型号(MPN)：IPDH6N03LAG
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：19nC@5V
功率：71W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
输入电容：2390pF@15V
阈值电压：2V@30µA
ECCN：EAR99
导通电阻：6mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
包装方式：卷带（TR）
功率：13W
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漏源电压：25V
ECCN：EAR99
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
包装方式：卷带（TR）
功率：13W
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类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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