品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
阈值电压:3.9V@120µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:42W
栅极电荷:16nC@10V
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:290pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@140µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:51W
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
阈值电压:3.9V@120µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:42W
栅极电荷:16nC@10V
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:290pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@40µA
类型:N沟道
栅极电荷:7.5nC@10V
功率:22W
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80R290C3AATMA2
连续漏极电流:17A
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@1mA
输入电容:2300pF@100V
栅极电荷:117nC@10V
导通电阻:290mΩ@11A,10V
工作温度:-40℃~150℃
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R900P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@110µA
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1200pF@500V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:3.5V@360µA
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:101W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@40µA
功率:6.3W
类型:N沟道
栅极电荷:7.5nC@10V
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK80R750P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@700µA
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R750P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.5V@140µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
功率:7.2W
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLK80R750P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
阈值电压:3.9V@240µA
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:63W
漏源电压:800V
输入电容:570pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1200pF@500V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:3.5V@360µA
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
功率:101W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K4P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
阈值电压:3.5V@70µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1200pF@500V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:3.5V@360µA
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:101W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:7.4W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:3.5V@170µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:570pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
阈值电压:3.9V@240µA
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:63W
漏源电压:800V
输入电容:570pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1200pF@500V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:3.5V@360µA
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
功率:101W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R900P7ATMA1
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@110µA
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB17N80C3ATMA1
连续漏极电流:17A
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@1mA
输入电容:2300pF@100V
栅极电荷:177nC@10V
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:7.4W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:3.5V@170µA
漏源电压:800V
输入电容:570pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K0CEATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.7A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:950mΩ@3.6A,10V
类型:N沟道
输入电容:785pF@100V
栅极电荷:31nC@10V
阈值电压:3.9V@250µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K4P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
导通电阻:1.4Ω@1.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@700µA
输入电容:250pF@500V
栅极电荷:10nC@10V
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
功率:32W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R2K0P7ATMA1
栅极电荷:9nC@10V
导通电阻:2Ω@940mA,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:175pF@500V
功率:6.4W
连续漏极电流:3A
阈值电压:3.5V@50µA
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB17N80C3ATMA1
连续漏极电流:17A
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3.9V@1mA
输入电容:2300pF@100V
栅极电荷:177nC@10V
导通电阻:290mΩ@11A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":33000,"MI+":9000}
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
阈值电压:3.5V@80µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:800V
功率:6.8W
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
功率:60W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:3.5V@170µA
漏源电压:800V
ECCN:EAR99
输入电容:570pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R280P7ATMA1
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1200pF@500V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
阈值电压:3.5V@360µA
导通电阻:280mΩ@7.2A,10V
漏源电压:800V
功率:101W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N80C3ATMA1
阈值电压:3.9V@240µA
导通电阻:1.3Ω@2.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:31nC@10V
功率:63W
漏源电压:800V
输入电容:570pF@100V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: