采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@30V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0702NLSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€65W
阈值电压：2.3V@26µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@30V
连续漏极电流：17A€86A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD650P06NMATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@1.04mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
