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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    连续漏极电流: 60A
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL50N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":23200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB5412NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@0V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2240

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STD60NF06T4 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD60NF06T4 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB60NF06LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP60N06VLK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP60N06VLK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R006PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:81W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    ST Mosfet场效应管 STD60NF06T4
    ST Mosfet场效应管 STD60NF06T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD60NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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