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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    连续漏极电流: 320mA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:80
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KDW-TP
    MCC Mosfet场效应管 BSS84KDW-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84KDW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:62
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2V7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:42
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:87
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:48
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HSX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HSX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HSX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKS,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:445mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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