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    品牌: VISHAY
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1700+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS660CENW-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.2Ω@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ164ELP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ164ELP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ164ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1330EDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1330EDL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034EL_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS106DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€24W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2086pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2308BDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2308BDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2308BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.09W€1.66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@30V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:36
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:82
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA64EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA64EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA00EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA00EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:6
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