品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3206TRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB010N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:208nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@30V
连续漏极电流:45A€180A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2000,"22+":10673}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB010N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:208nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@30V
连续漏极电流:45A€180A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3206TRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB010N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:208nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@30V
连续漏极电流:45A€180A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH260N6F6-2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11800pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB010N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:208nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@30V
连续漏极电流:45A€180A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB110P06LMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@5.55mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:281nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB010N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@280µA
栅极电荷:208nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@30V
连续漏极电流:45A€180A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: