采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8J31GZETB
输入电容：2500pF@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：4.5A
功率：2W
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000-D26Z
功率：400mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5Ω@500mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：1A
ECCN：EAR99
输入电容：100pF@25V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：150µA
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：330mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1A
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：100pF@25V
漏源电压：60V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
输入电容：290pF@10V
导通电阻：109mΩ@5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
连续漏极电流：5A
功率：15W
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170FTA
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：150µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：35pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170LT1G
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：1949}
规格型号(MPN)：BS170-D26Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：35pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
输入电容：290pF@10V
导通电阻：109mΩ@5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
连续漏极电流：5A
功率：15W
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：2.1A
漏源电压：60V
功率：3W
导通电阻：330mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：35pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBF170
导通电阻：5Ω@200mA，10V
包装方式：卷带（TR）
功率：300mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4106FTA
功率：350mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：35pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
连续漏极电流：200mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L050SNFRATL
输入电容：290pF@10V
导通电阻：109mΩ@5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8nC@10V
连续漏极电流：5A
功率：15W
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1639
规格型号(MPN)：MMBF170
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：300mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BS170-D27Z
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：500mA
输入电容：40pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
导通电阻：5Ω@200mA，10V
功率：830mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1A
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：100pF@25V
漏源电压：60V
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
