品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
功率:513mW€6.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD442G
阈值电压:2.7V@250µA
连续漏极电流:13A€40A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:68nC@10V
功率:6.2W€60W
输入电容:1920pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
生产批次:2233
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:12A€60A
栅极电荷:14.5nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCG25P06Y-TP
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:50mΩ@20A,10V
栅极电荷:18.7nC@10V
漏源电压:60V
功率:60W
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:12A€60A
栅极电荷:14.5nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
功率:66W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
功率:513mW€6.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3-13
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:110mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:984.7pF@30V
类型:P沟道
连续漏极电流:14A
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@10V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN55ENEX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:560mW€6.25W
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:646pF@30V
导通电阻:60mΩ@3.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:60A
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
功率:478mW€8.36W
输入电容:646pF@30V
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU30P06Y-TP
阈值电压:2.7V@250µA
功率:72W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55Ω@20A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:19.3nC@10V
输入电容:1050pF@30V
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:435pF@30V
类型:N沟道
功率:1.65W
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:56mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
阈值电压:2.7V@250µA
功率:513mW€6.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
漏源电压:60V
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1150pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:12A€60A
栅极电荷:14.5nC@10V
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
功率:66W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:177pF@30V
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:4.8nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP6180SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:17.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV450ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":180000,"22+":186000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB85ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:12A€60A
类型:N沟道
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: