品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@25V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@100mA,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
输入电容:637pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7
功率:470mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:100mA
漏源电压:60V
栅极电荷:0.45nC@4.5V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17KTC
功率:2.11W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:4.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9U-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:370mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA
输入电容:1063pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.8A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:20.4nC@10V
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
阈值电压:1V@250µA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
ECCN:EAR99
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
输入电容:31pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
功率:480mW
连续漏极电流:310mA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18KTC
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:2.15W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:400mA
导通电阻:2Ω@50mA,5V
阈值电压:1V@250µA
功率:440mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A18KTC
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.8A
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:2.15W
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:5.7nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN61D9U-13
输入电容:28.5pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:0.4nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:370mW
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.9nC@4.5V
功率:500mW
连续漏极电流:320mA
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:64pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7
输入电容:31pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
功率:480mW
连续漏极电流:310mA
栅极电荷:0.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1LFDQ-7
输入电容:36pF@25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2Ω@100mA,4V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:0.55nC@4.5V
连续漏极电流:400mA
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:5.7nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:1V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
功率:1.8W
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17GQTA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:3A
导通电阻:125mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:5.7nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
输入电容:330pF@40V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA
输入电容:219pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
栅极电荷:5.9nC@10V
导通电阻:390mΩ@900mA,10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0U-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:380mW
漏源电压:60V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:32pF@30V
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
栅极电荷:0.5nC@4.5V
连续漏极电流:380mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP6A17KTC
功率:2.11W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.3A,10V
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:4.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMP6A18DN8TA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:55mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.8W
类型:2个P沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:1V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: