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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250NB06DCR RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM250NB06DCR RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM250NB06DCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1461pF@30V

    连续漏极电流:7A€30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订12500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订12500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    连续漏极电流:20A€50A

    输入电容:6435pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€96W

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRPBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRPBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.3A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:570pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL20N6F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL20N6F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL20N6F7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:3W€78W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:100A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:5.4mΩ@10A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    栅极电荷:32nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.2W€50W

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1110pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:300pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    功率:2W€3.1W

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6410pF@30V

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:57nC@10V

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD30N06TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD30N06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:945pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:45mΩ@11.4A,10V

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:22.7A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:57nC@10V

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订628个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订628个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":752,"22+":1878}

    规格型号(MPN):FDD5680

    功率:2.8W€60W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.5A

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1835pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRLPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRLPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9024TRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.3A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:570pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5672

    导通电阻:10mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2200pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT2955 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    功率:3W

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRLPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRLPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9024TRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.3A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:570pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:57nC@10V

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRPBF 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRPBF 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.5W€25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 NDT2955 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT2955

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:601pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    功率:3W

    类型:P沟道

    栅极电荷:15nC@10V

    导通电阻:300mΩ@2.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86540 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86540

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6410pF@30V

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA106DJ-T1-GE3

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:540pF@30V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:10A€12A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:18.5mΩ@4A,10V

    功率:3.5W€19W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.7W€139W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:8306pF@30V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:130.6nC@10V

    连续漏极电流:215A

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:300pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    功率:2W€3.1W

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:57nC@10V

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9.6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:500mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:2.5W€25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP

    功率:313W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:8350pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    栅极电荷:108nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:295A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD11P06TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD11P06TM

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    功率:2.5W€38W

    漏源电压:60V

    输入电容:550pF@25V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:9.4A

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:185mΩ@4.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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