品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250NB06DCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€48W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1461pF@30V
连续漏极电流:7A€30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
连续漏极电流:20A€50A
输入电容:6435pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€96W
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:570pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:945pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:22.7A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL20N6F7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W€78W
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:27mΩ@9A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@250µA
功率:3.2W€50W
连续漏极电流:30A
输入电容:1110pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
功率:2W€3.1W
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6410pF@30V
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:57nC@10V
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD30N06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:945pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
导通电阻:45mΩ@11.4A,10V
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:22.7A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:57nC@10V
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":752,"22+":1878}
规格型号(MPN):FDD5680
功率:2.8W€60W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:1835pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:570pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
导通电阻:10mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
功率:3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.5W€42W
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:570pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:57nC@10V
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT2955
包装方式:卷带(TR)
输入电容:601pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
功率:3W
类型:P沟道
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:300mΩ@2.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86540
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6410pF@30V
导通电阻:4.5mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA106DJ-T1-GE3
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:540pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:10A€12A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.5mΩ@4A,10V
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13
包装方式:卷带(TR)
功率:2.7W€139W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:8306pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:130.6nC@10V
连续漏极电流:215A
导通电阻:1.5mΩ@30A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:300pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:200mΩ@1.6A,10V
功率:2W€3.1W
栅极电荷:11nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
导通电阻:11mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:57nC@10V
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:9.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP
功率:313W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:8350pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:295A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: