品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
连续漏极电流:2.2A€2.9A
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
功率:3.3W
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2260
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:426pF@30V
功率:2.8W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:44mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
功率:1.8W
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
输入电容:340pF@25V
阈值电压:4V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
功率:2W€3.3W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
输入电容:350pF@30V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU20N06A-TP
连续漏极电流:20A
导通电阻:45mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:500pF@30V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:2W€3.1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
功率:2.5W€25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB55ENEAX
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:435pF@30V
类型:N沟道
功率:1.65W
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:56mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:216mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: