品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.9A
功率:820mW
导通电阻:16mΩ@10A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4463AP-AU_R2_000A1
连续漏极电流:4.2A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@6A,10V
功率:2.1W
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:879pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.9A
功率:820mW
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21.4A
输入电容:670pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:5.7W€31.25W
导通电阻:31mΩ@15A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW5P06A_R2_00001
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
连续漏极电流:5A
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
导通电阻:68mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:879pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
漏源电压:60V
导通电阻:18mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21.4A
输入电容:670pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:5.7W€31.25W
导通电阻:31mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
阈值电压:1.8V@400µA
连续漏极电流:1.8A
功率:1.8W
输入电容:368pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LPS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:10.6A
功率:1.23W
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LPS-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:10.6A
功率:1.23W
导通电阻:16mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
功率:2.5W€38W
漏源电压:60V
输入电容:550pF@25V
类型:P沟道
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: