品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:21A€34A
漏源电压:60V
功率:5W€43W
输入电容:1650pF@30V
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
导通电阻:10mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A€50A
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
功率:2.1W€50W
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":358495,"24+":2751}
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
功率:2.1W€50W
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
功率:2.1W€50W
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
功率:2.1W€50W
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6262E
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1650pF@30V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
阈值电压:2.2V@23µA
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:12A€50A
漏源电压:60V
输入电容:3500pF@30V
导通电阻:10mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:21A€34A
漏源电压:60V
功率:5W€43W
输入电容:1650pF@30V
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€78W
输入电容:2800pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.5W€78W
输入电容:2800pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:11A€20A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@30V
连续漏极电流:10.6A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7120ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC100N06LS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.2V@23µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:12A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: