品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SE-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:40mΩ@12A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
功率:1.2W
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:40mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
功率:42W
输入电容:1287pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDEQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SFDE-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: