品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250mA
类型:N沟道
输入电容:47pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
功率:300mW€1.06W
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:1.5nC@10V
连续漏极电流:200mA
输入电容:45pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:1.8V@26µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250mA
类型:N沟道
输入电容:47pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
功率:300mW€1.06W
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS7728NH6327XTSA2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
连续漏极电流:200mA
输入电容:56pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250mA
类型:N沟道
输入电容:47pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
功率:300mW€1.06W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS7728NH6327XTSA2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:5Ω@500mA,10V
功率:360mW
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
连续漏极电流:200mA
输入电容:56pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
功率:350mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:35pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250mA
类型:N沟道
输入电容:47pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
功率:300mW€1.06W
ECCN:EAR99
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SN7002NH6433XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.8V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NMSD200B01-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NMSD200B01-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4106FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:35pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS7728NH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2.3V@26µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:56pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€1.06W
阈值电压:1.5V@250mA
栅极电荷:0.51nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:47pF@30V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: