品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
输入电容:3000pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.3V@41µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL20N6F7
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3W€78W
漏源电压:60V
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.4mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:1500pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:20nC@10V
功率:3.2W€116W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7085TRPBF
阈值电压:3.7V@150µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:165nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
输入电容:6460pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
输入电容:4230pF@30V
漏源电压:60V
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
输入电容:4230pF@30V
漏源电压:60V
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3840pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:43nC@10V
ECCN:EAR99
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
输入电容:3000pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.3V@41µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:11000pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@93µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€139W
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:1500pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:20nC@10V
功率:3.2W€116W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
输入电容:11000pF@30V
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@93µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W€139W
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18532Q5BT
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
漏源电压:60V
栅极电荷:58nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:1500pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:20nC@10V
功率:3.2W€116W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC027N06LS5ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.7mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:30nC@4.5V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
输入电容:4400pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18563Q5AT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.4V@250µA
输入电容:1500pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:6.8mΩ@18A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:20nC@10V
功率:3.2W€116W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7085TRPBF
阈值电压:3.7V@150µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:165nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
输入电容:6460pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18532Q5BT
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.2W€156W
漏源电压:60V
栅极电荷:58nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):250psc
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
功率:3.1W€195W
输入电容:4230pF@30V
漏源电压:60V
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
连续漏极电流:100A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2608}
规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
输入电容:3000pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.3V@41µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
阈值电压:3.3V@50µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:49nC@10V
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:3375pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7085TRPBF
阈值电压:3.7V@150µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:165nC@10V
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
输入电容:6460pF@25V
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC031N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:4V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.3V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0702LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.3V@49µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC034N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:3.3V@41µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: