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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
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规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
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栅极电荷：10nC@10V
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连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
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连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
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栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
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栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
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功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：5.6nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：657pF@25V
阈值电压：2.3V@15µA
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：5.6nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：657pF@25V
阈值电压：2.3V@15µA
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：5.6nC@5V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：657pF@25V
阈值电压：2.3V@15µA
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
功率：1W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：785pF@30V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7465DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
连续漏极电流：3.2A
栅极电荷：40nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.2A
阈值电压：2.5V@250µA
漏源电压：60V
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：785pF@30V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7949DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
导通电阻：64mΩ@5A，10V
连续漏极电流：3.2A
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
