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    品牌: VISHAY
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:2000+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610K-T1-GE3

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.7nC@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2309CDS-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2309CDS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:345mΩ@1.25A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    功率:1W€1.7W

    输入电容:210pF@30V

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订12500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订12500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    输入电容:4030pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    栅极电荷:87nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3.6V@250µA

    功率:5.4W€83.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-GE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.9A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRPBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9024TRPBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:8.8A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:19nC@10V

    功率:2.5W€42W

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.3A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:570pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7465DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    连续漏极电流:3.2A

    栅极电荷:40nC@10V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:833pF@20V

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    栅极电荷:30nC@10V

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    连续漏极电流:3.5A€13A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR180DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR180DP-T1-RE3

    输入电容:4030pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:2.05mΩ@10A,10V

    连续漏极电流:32.4A€60A

    类型:N沟道

    栅极电荷:87nC@10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3.6V@250µA

    功率:5.4W€83.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3459BDV-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3459BDV-T1-BE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:216mΩ@2.2A,10V

    连续漏极电流:2.2A€2.9A

    输入电容:350pF@30V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    输入电容:600pF@30V

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-E3

    功率:350mW

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4559ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4559ADY-T1-GE3

    功率:3.1W€3.4W

    输入电容:665pF@15V€650pF@15V

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5.3A€3.9A

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3

    导通电阻:1.25Ω@500mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    连续漏极电流:330mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    输入电容:600pF@30V

    功率:3.2W€19.8W

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1026X-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:305mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    功率:250mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-GE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:4.1A

    输入电容:350pF@30V

    栅极电荷:11nC@10V

    导通电阻:100mΩ@3.2A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:270pF@25V

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2W€3.1W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TP0610K-T1-E3

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:1.7nC@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    栅极电荷:8.4nC@5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.6A,5V

    输入电容:400pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7414DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7414DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:5.6A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    导通电阻:25mΩ@8.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:300pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    功率:2W€3.1W

    栅极电荷:11nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    栅极电荷:27nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:1.8W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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