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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 60V
    工作温度: -65℃~150℃
    当前匹配商品:600+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002/HAMR 起订114个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002/HAMR 起订114个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002/HAMR

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订94个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订94个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601VKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601TK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HR 起订68个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HR 起订68个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HR

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWK-7 起订55个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWK-7 起订55个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WKQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WKQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,235

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订57个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订57个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DWKQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CMPDM7002AHC TR PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMPDM7002AHC TR PBFREE

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS7002A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订76个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS7002A 起订76个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1417

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS7002A

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:280mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订64个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订64个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1909

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WKQ-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601WKQ-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601WKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

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