品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:46nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN4800LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.46W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:9.47nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.17W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3401LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17306Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:15.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2170pF@15V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@22A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:46nC@2.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5860pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4800LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.71W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:798pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17311Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4280pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1470AEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3400SDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@15V
连续漏极电流:650mA€450mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@590mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: