采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1200，"21+"：1650，"22+"：2489，"24+"：549}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD70P03_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€63W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.228nF@15V
连续漏极电流：70A€11A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD70P03_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€63W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.228nF@15V
连续漏极电流：70A€11A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD70P03_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€63W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.228nF@15V
连续漏极电流：70A€11A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NXV90EPR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW€2.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：120mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.556nF@15V
连续漏极电流：45A€10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJL9411_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.169nF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
