品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M
工作温度:150℃
功率:1.6W€45W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:113nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@10V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@23A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E070RPTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P-Channel
导通电阻:17mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8J2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:84mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSF014N03TL
工作温度:150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:240mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1914
销售单位:个
规格型号(MPN):RSC002P03T316
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:0.25A
类型:P-Channel
导通电阻:1.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR
工作温度:150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03GZETB
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8J5TR
工作温度:150℃
功率:600mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E050ATTCL
工作温度:150℃
功率:760mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8M10FRATB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V€850pF@10V
连续漏极电流:7A€4.5A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2731T146
工作温度:150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSQ035P03TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K1TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:51mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RRF015P03TL
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:P-Channel
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSL020P03FRATR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:3.9nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8MA2TCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@10V
连续漏极电流:4.5A€3A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ1E070RPTR
工作温度:150℃
功率:550mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@10V
连续漏极电流:7A
类型:P-Channel
导通电阻:17mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6E050ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:20.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSE002P03TL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:1.4Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RRR040P03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E075ATTCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:21.7mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RRL035P03TR
工作温度:150℃
功率:320mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P-Channel
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E180BNTB1
工作温度:150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:18A€39A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):US6K2TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:70pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N-Channel
导通电阻:240mΩ@1.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: