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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    阈值电压: 1.8V@250µA
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:500+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4368DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8340pF@15V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

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    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4922BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2070pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4800BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AO3424
    AOS Mosfet场效应管 AO3424

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:34
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7326DN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7326DN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7326DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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