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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P-Channel
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFHS9301TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P-Channel
导通电阻：37mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC045N03L5SATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N-Channel
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4496
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4496
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：715pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N-Channel
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6602SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：3.4A€2.8A
类型：N+P-Channel
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
