采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：8-SOIC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1000，"08+"：149685，"09+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4744NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：06+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3042LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8984
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7A
类型：N-Channel
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG7408SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS17D0P03P8ZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E070BNTCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：16.1mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P-Channel
导通电阻：32mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
