采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
导通电阻：18mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
输入电容：1730pF@15V
类型：P沟道
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3419
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA403EJ-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1880pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7E100ATTCR
工作温度：150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2370pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8125，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH100P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J507NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：20.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
