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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM200N03DPQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM200N03DPQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订12个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订12个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF9310TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P-Channel

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€37W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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