品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0502NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1600pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
功率:2.5W€43W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A€100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3010LSS-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2096pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
栅极电荷:43.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB08R6ENX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20.6nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
输入电容:840pF@15V
导通电阻:10.5mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV42ENER
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€5W
类型:N沟道
输入电容:281pF@15V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:4.4A
导通电阻:36mΩ@4.4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E070BNTR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:410pF@15V
导通电阻:28.6mΩ@7A,10V
功率:2W
栅极电荷:8.9nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:730mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0500NSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:2.1W€69W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.5mΩ@20A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:30A€40A
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:3400pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC645N
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:21nC@4.5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@6.2A,10V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1460pF@15V
功率:1.6W
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A€39A
类型:N沟道
输入电容:1500pF@15V
导通电阻:12mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.5W€28W
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ019N03L5SATMA1
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:22A€40A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.9mΩ@20A,10V
输入电容:2800pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4300pF@15V
栅极电荷:68nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:37A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:15A€40A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€27W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSIATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4300pF@15V
栅极电荷:68nC@10V
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:37A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404L-7
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.2nC@10V
类型:N-Channel
输入电容:386pF@15V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:4.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
功率:104W
类型:N沟道
栅极电荷:153nC@10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
输入电容:10180pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"16+":28500}
规格型号(MPN):NTMFS4935NBT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:49.4nC@10V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:3.2mΩ@30A,10V
连续漏极电流:13A€93A
功率:930mW€48W
输入电容:4850pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
输入电容:1415pF@15V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:25.1nC@10V
连续漏极电流:12A
阈值电压:2V@250µA
功率:2.02W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN357N
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:235pF@10V
阈值电压:2V@250µA
功率:500mW
栅极电荷:5.9nC@5V
导通电阻:60mΩ@2.2A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ100N03MSGATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
功率:2.1W€30W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
输入电容:1700pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: