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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    类型: N沟道
    连续漏极电流: 11A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN11003NL,LQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN11003NL,LQ

    工作温度:150℃

    功率:700mW€19W

    阈值电压:2.3V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订3个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订3个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8707TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3015SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1276pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订13个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订13个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8707TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G 起订605个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@24V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS3015SSS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS3015SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1276pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R6ENX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7630 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7630

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4386DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4386DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4386DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.47W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8707TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R6ENX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110BNTR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E110AJTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E110AJTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E110AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@10mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@4.5A,11V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB08R6ENX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB08R6ENX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订500个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订500个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订10个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订10个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8707TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8707TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:9.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.9mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E110GNTR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E110GNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:504pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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