品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RMW200N03TB
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4430
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7270pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17302Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.7V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:16A€87A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17510Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:8.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@15V
连续漏极电流:20A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17507Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:13A€65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E321GNTB1
工作温度:150℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:32A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17307Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€73A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8010DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7080pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:1.28mΩ@37A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: