采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：506，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6630A
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8651
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：1.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27.2 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3365 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），20A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：6.1 毫欧 @ 15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：33791，"23+"：28871，"24+"：42338}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta），25W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970 pF @ 15 V
连续漏极电流：10A（Ta），35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1139，"21+"：2671，"22+"：2248，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1118}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7692
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 15 V
连续漏极电流：14A（Ta），28A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7692
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 15 V
连续漏极电流：14A（Ta），28A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8878
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040 pF @ 15 V
连续漏极电流：8A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16 毫欧 @ 8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7692
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 15 V
连续漏极电流：14A（Ta），28A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：11676，"24+"：4319}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ058N03LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta），45W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400 pF @ 15 V
连续漏极电流：15A（Ta），40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.8 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8025S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），50W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：47 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000 pF @ 15 V
连续漏极电流：24A（Ta），49A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8870
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4615 pF @ 15 V
连续漏极电流：18A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：4.2 毫欧 @ 18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03LSGATMA1
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.1W（Ta），25W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 250µA
栅极电荷：13 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970 pF @ 15 V
连续漏极电流：10A（Ta），35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7670
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），62W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：56 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4105 pF @ 15 V
连续漏极电流：21A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.8 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8884
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：7.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465 pF @ 15 V
连续漏极电流：6.5A（Ta），8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：23 毫欧 @ 6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7692
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），27W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：22 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 15 V
连续漏极电流：14A（Ta），28A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.5 毫欧 @ 13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8026S
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），41W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：37 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280 pF @ 15 V
连续漏极电流：19A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.3 毫欧 @ 19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
