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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP126，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR224TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@32µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@100V
连续漏极电流：10.9A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@5.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ42DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@13µA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@2.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC16DN25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@32µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@100V
连续漏极电流：10.9A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@5.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS139H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56µA
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：14Ω@100µA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7190ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@100V
连续漏极电流：4.3A€14.4A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@4.3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR692DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1405pF@125V
连续漏极电流：24.2A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@10A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP126，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@300mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3U060CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4525GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.8V@1mA
栅极电荷：3.65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：72pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB33N25TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：235W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2135pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS139H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@56µA
栅极电荷：3.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：14Ω@100µA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10110}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10110}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC600N25NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
