采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL13N60DM2
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：370mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
输入电容：754pF@100V
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
连续漏极电流：8A
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：70W
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：600V
导通电阻：600mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL16N60M2
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：704pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：355mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
功率：80W
漏源电压：600V
导通电阻：560mΩ@4A，10V
栅极电荷：22nC@10V
阈值电压：4.5V@400µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
