采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD5N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：63000，"17+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP602-TL-H
工作温度：150℃
功率：70W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1223
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N60ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD380N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：106W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD7N60TM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD4N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"12+"：7，"19+"：1752，"20+"：272367，"MI+"：7200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDTL01N60ZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：92pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：116000，"15+"：1431，"16+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT01N60T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5N60NZTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：120095，"16+"：25900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1458-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：65pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：296，"16+"：25733}
包装规格(MPQ)：700psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1440-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.1Ω@800mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB11N60TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5810，"21+"：2925，"22+"：6112，"24+"：3000，"MI+"：8521}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT299N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1948pF@380V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD620N60ZF
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@25V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：620mΩ@3.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
