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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2289pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P-Channel
导通电阻：25mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P-Channel
导通电阻：25mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2289pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT8012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2289pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3476DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@40V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：93mΩ@3.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
