品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@2A,1.8V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22205LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:7.4A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A€6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3499DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:750mV@250µA
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8429DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€6.25W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@4V
连续漏极电流:11.7A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22206W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:1.05V@250µA
栅极电荷:14.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2275pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:5.7mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":9204,"04+":605775}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS2101PT1
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@6.4V
连续漏极电流:5.4A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@5.4A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTS2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:290mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@8V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22202W15
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@4V
连续漏极电流:4.4A€5.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€2.78W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@4V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22205LT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@4V
连续漏极电流:7.4A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2305CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@4V
连续漏极电流:5.8A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":8693,"18+":531000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BG3130H6327XTSA1
功率:8V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8V
类型:2 N-通道(双)
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4465ADY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.7A€20A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@14A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD22204W
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:950mV@250µA
栅极电荷:24.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1130pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:9.9mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":14380,"10+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS1135PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:970mW
阈值电压:850mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@6V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@4.6A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: