品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8466EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW€1.8W
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A€6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1054UCB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:908pF@6V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1050X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:236mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:585pF@4V
连续漏极电流:1.34A
类型:N沟道
导通电阻:86mΩ@1.34A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@4V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:25.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1508pF@4V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A€6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1070pF@4V
连续漏极电流:6A€6A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存: