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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 8V
    阈值电压: 800mV@250µA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A€6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8429DB-T1-E1 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8429DB-T1-E1 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8429DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€6.25W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:26nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@4V

    连续漏极电流:11.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

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    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

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    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:P沟道

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

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    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:8V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427ADJ-T1-GE3

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    漏源电压:8V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:800mV@250µA

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    类型:N沟道

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

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    包装方式:卷带(TR)

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    类型:P沟道

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

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    栅极电荷:29nC@4.5V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

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    输入电容:1508pF@4V

    连续漏极电流:12A

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    导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA436DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA436DJ-T1-GE3

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    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

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    栅极电荷:25.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1508pF@4V

    连续漏极电流:12A

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    导通电阻:9.4mΩ@15.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

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    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

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    输入电容:1070pF@4V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

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    栅极电荷:50nC@5V

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    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA414DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA414DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@4V

    连续漏极电流:12A

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    导通电阻:11mΩ@9.7A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8429DB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8429DB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8429DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

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    输入电容:1640pF@4V

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2342DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2342DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@4V

    连续漏极电流:6A

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    导通电阻:17mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:8V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

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    阈值电压:800mV@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-E3 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-E3

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@4.5V

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    输入电容:650pF@4V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427ADJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427ADJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8424CDB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8424CDB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@4V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2329DS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2329DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1485pF@4V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1499DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1499DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€2.78W

    阈值电压:800mV@250µA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@4V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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