采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS1DNC45
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@500mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STS1DNC45
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：3.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@500mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STS1DNC45
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功率：1.6W
阈值电压：3.7V@250µA
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输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.5Ω@500mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
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功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
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输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
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功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
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功率：3W
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类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
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功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
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连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
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规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
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规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：164pF@50V
阈值电压：4.5V@50µA
漏源电压：450V
功率：3W
导通电阻：4Ω@600mA，10V
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：600mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
输入电容：55pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：700mA
漏源电压：450V
阈值电压：4.5V@1mA
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
功率：1.6W
ECCN：EAR99
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：164pF@50V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@600mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN3N45K3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
输入电容：164pF@50V
阈值电压：4.5V@50µA
漏源电压：450V
功率：3W
导通电阻：4Ω@600mA，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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