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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP372NH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP372NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@218µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:329pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3430DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MIC94051YM4-TR 起订3000个装
    Microchip Mosfet场效应管 MIC94051YM4-TR 起订3000个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MIC94051YM4-TR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@5.5V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7464DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7464DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@20V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3N40K3 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3N40K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@50V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441PT1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":3000,"11+":1571}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@15V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218µA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPB02N60S5ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPB02N60S5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:5.5V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:240pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTRV4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218µA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3430DV-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3430DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ130UNEYL 起订32个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ130UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:1.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:93pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MIC94051YM4-TR 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 MIC94051YM4-TR 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MIC94051YM4-TR

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:568mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@5.5V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:6V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP373NH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP373NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@218µA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A01FTA 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:3.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2120UFCL-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2120UFCL-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2120UFCL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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