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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7172DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD25N15-52_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD25N15-52-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：202W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2815pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
