采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：130，"22+"：1000，"23+"：9800}
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规格型号(MPN)：IPB50R199CPATMA1
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功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@100V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：550V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB23NM50N
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功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
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栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：1800pF@100V
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类型：N沟道
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输入电容：1330pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
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