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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
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功率：150mW
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连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
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功率：150mW
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输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AFS，LF
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35AMFV，L3F
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：250mA
类型：P沟道
输入电容：42pF@10V
阈值电压：1V@100µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P35AFE，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@150mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：0.25A
类型：N-Channel
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002N06TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSE002N06TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSM002N06T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：0.25A
类型：N-Channel
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UM6K31NTN
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@25V
连续漏极电流：0.25A
类型：N-Channel
导通电阻：2.4Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
