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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
阈值电压：3V@250μA
功率：500mW
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
